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参数目录41166
> NP36P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
型号:
NP36P06KDG-E1-AY
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NP36P06KDG-E1-AY PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
36A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
29.5 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
54nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3100pF @ 10V
功率 - 最大
1.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263
包装
剪切带 (CT)
其它名称
NP36P06KDG-E1-AYCT
查看NP36P06KDG-E1-AY代理商
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